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发布时间:2026-09-03源自:本站作者:Www.yaxin787.net阅读(5768)
中新社合肥7月16日电 (记者 张俊)记者16日从安徽大学获悉,该校杜海峰、宋东升教授团队制备出世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元,这一成果有望为未来高密度、高速度的存储技术提供关键支持。
斯格明子是一种特殊的磁结构,具有尺寸小、稳定性高、易于电流操控的特点。2009年,科学家首次在某些金属磁性材料中发现了这种结构。由于其独特的性质,斯格明子被认为是下一代数据存储的理想载体。然而,如何让斯格明子在纳米尺度的赛道中稳定、可控地移动,一直是科研人员面临的难题。
安徽大学的研究团队通过先进的聚焦离子束技术,制备出了宽度仅为100纳米的斯格明子赛道。他们还利用高时空分辨率的洛伦兹电镜技术,实现了纳秒级电脉冲驱动下的斯格明子运动。实验结果显示,80纳米大小的斯格明子能在100纳米的赛道中实现一维、稳定、高效的运动。
这项研究解决了两大关键问题。科研团队将器件的特征尺寸缩小到100纳米,小于之前实验中展示的最小尺寸,满足了高密度存储的需求。其次,团队通过控制电流脉冲的宽度和密度,成功稳定了斯格明子的运动,避免了其在赛道边界的偏移和消失。
该研究成果已发表在《自然—通讯》杂志上。研究团队的成果为开发新型的磁电子学器件奠定了基础,这些器件在未来可能会被用于更快速、更可靠的数据存储和处理技术中。(完)
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